碳化硅化學(xué)氣相涂層/生長爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的進(jìn)氣控制技術(shù)，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積壓力穩(wěn)定，壓力波動小；

多通道工藝氣路，配合旋轉(zhuǎn)料臺，無沉積死角；

溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設(shè)計(jì)，溫度場與氣流場的均勻性好；

多級尾氣處理系統(tǒng)，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產(chǎn)物，環(huán)境友好；

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，熱場材料采用低灰分材質(zhì)，嚴(yán)格把控進(jìn)氣管路材質(zhì)（選用EP級材質(zhì)）；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化學(xué)氣相涂層/生長爐產(chǎn)品規(guī)格

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整，不作為驗(yàn)收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

碳化硅化學(xué)氣相涂層/生長爐配置選擇